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英特尔和美光合并NAND业务将在新加坡建设300mm工厂-资讯风扇网

时间:2022年11月01日
英特尔和美光合并NAND业务将在新加坡建设300mm工厂-资讯

英特尔和美光科技宣布,计划在新加坡建设NAND闪存工厂。将作为300mm晶圆工厂于07上半年开工建设。预定08下半年投产,将采用50nm工艺技术生丝印喷枪木炭机产。该工厂将通过两公司成立的合资公司建设。

  英特尔和美光于2006年1月成立了开发、生产NAND闪存的合资公司I打圈机M Flash Technologies。IM Flash Technologies 目前正在美光位于美国博伊西(Boise)的半导体工厂生产NAND闪存。另外,IM Flash Technolog微滤膜ies 还以07年初开始量产为目标,正在美国弗吉尼亚州马纳萨斯市(Manassas)和犹他州Lehi市两地启动300mm晶圆工厂。对IM Flash Technologies来说,此次宣布将建设的新加坡工厂将成为其第4个生产基地。

  此外,两公司还表示已于2006年7月在业界率先开始供应磨光机利用50nm工艺技术生产的4Gbit NAND闪存样品。至于50nm工艺NAND闪存,则预定从2007年开始生产包括多值闪存在内的多种产品群。

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